Bei Carl Zeiss in Oberkochen beginnt jetzt die Serienfertigung neuer Objektivreihen für die Halbleiterherstellung. Es handelt sich um Lithografieobjektive vom Typ Starlith 800, die im Wellenlängenbereich von 248 nm (1 Nanometer = 1 millionstel mm) arbeiten und um die Optiken der Baureihe Starlith 1100, die in den Bereich von 193 nm vorstoßen und damit zur absoluten Spitze des heute technisch Machbaren zählen. Von beiden Modellen hat der Unternehmensbereich Halbleitertechnik von Carl Zeiss in diesen Wochen die jeweils ersten Exemplare fertiggestellt.
"Diese beiden Innovationen sichern uns und unserem Partner, dem niederländischen Hersteller von Wafersteppern ASML, einen Wettbewerbsvorsprung von mindestens 6 bis 12 Monaten", erläuterte der Leiter des Unternehmensbereichs Dr. Hermann Gerlinger. "Dies ist in einer Phase, in der die Chiphersteller ihre Investitionen auf neueste Technologien konzentrieren, von besonderer Bedeutung." So hat ASML beispielsweise mit der Starlith-1100-Technologie neue Kunden hinzugewinnen können, die wegen dieses Vorsprungs den Lieferanten wechselten. Jetzt kommt es nach Gerlingers Worten darauf an, die Fertigungskapazitäten für diese komplexen Systeme schnell zu steigern, um die Nachfrage im Markt bedienen zu können. Der Neubau in Oberkochen ist hierfür von strategischer Bedeutung.
Das System Starlith 800 (248 nm) repräsentiert die achte Generation an Lithografiesystemen im sogenannten DUV-Bereich (Deep Ultra Violet = tiefes Ultraviolett). Von den Vorläufer-modellen dieser Technologie hat Carl Zeiss bereits nahezu 700 Systeme ausgeliefert. Die neue Produktgeneration ermöglicht den Herstellern integrierter Schaltkreise, Chipstrukturen mit nur 120 nm Breite zu realisieren und somit schnellere, kleinere und leistungsstärkere Chips zu bauen.
Starlith 1100 ist das erste System weltweit für die Massenproduktion mit 193 nm Belich-tungswellenlänge. In der Branche wird dieser Bereich als VUV (Vacuum Ultra Violet) bezeichnet. Diese Technologie ermöglicht durch die Verwendung einer kürzeren Wellenlänge bei der Chipherstellung sogar Strukturbreiten von nur 100 nm. Mit den Systemen für 193 nm fließt eine Reihe weiterer Neuerungen in die Serie ein. So werden zum ersten Mal in nennenswertem Maßstab Einzellinsen aus Kalziumfluorid-Kristallen eingesetzt. Die Linsen erhalten auch teilweise asphärische Flächen – bei den extremen Genauigkeitsanforderungen dieser Objektivart eine besondere Herausforderung. Durch gezielten Einsatz von Asphären wird die Gesamtzahl an Linsen reduziert, die nötig ist, um die Bildfehler zu korrigieren.
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May 2001
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